发明名称 | 球状半导体器件及其制造方法和球状半导体器件材料 | ||
摘要 | 本发明揭示一种球状半导体器件及其制造方法和球状半导体器件材料。小直径的球状太阳能电池单元(SS)(球状半导体器件)及其制造方法包括:球状的芯材(1)、在芯材(1)的表面形成的反射膜(2)、在反射膜(2)的表面上形成大致球面状的半导体薄膜层(p型多晶硅表面4a,n<SUP>+</SUP>扩散层7)、在半导体薄膜层上形成的n<SUP>+</SUP> p结(8)、钝化膜(9)、氧化钛制造的表面保护膜(10)和与n<SUP>+</SUP>p结8的两极连接的1对电极(11a,11b)。本发明除这种球状太阳能电池单元(SS)外还公开了球状结晶制造装置、2种球状太阳能电池单元、2种球状光触媒元件、发出蓝色可见光的球状发光元件和2种球状半导体器件材料。 | ||
申请公布号 | CN1234911A | 申请公布日期 | 1999.11.10 |
申请号 | CN97199133.2 | 申请日期 | 1997.08.27 |
申请人 | 中田仗祐 | 发明人 | 中田仗祐 |
分类号 | H01L31/10;H01L33/00 | 主分类号 | H01L31/10 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 孙敬国 |
主权项 | 1.一种球状半导体器件,其特征在于,包括球状的芯材,在所述芯材的表面上或者其外侧附近部分上形成大致球面状的半导体薄膜层,在所述半导体薄膜层上形成的至少1个pn结,和与所述pn结的两极连接的1对电极。 | ||
地址 | 日本京都府城阳市 |