| 主权项 |
1.一种抛光半导体技术基材之方法,其中基材表面涂层被去除至涂层绝对仅残留于基材的至少一个切槽及/或至少一个接触孔区的程度,涂层之去除系借助于蚀刻介质,因此使半导体基材旋转,该方法之特征为蚀刻介质系以连续容积流施用于待抛光表面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻介质系以至少0.4升/分钟,较佳1升/分钟之流速施用。3.如申请专利范围第1或2项之方法,其中使用含有可增进黏度之添加剂的蚀刻介质。4.如申请专利范围第1项之方法,其中一层系藉抛光由金属去除。5.如申请专利范围第1项之方法,其中由多晶矽制成的一层系藉抛光去除。6.如申请专利范围第1项之方法,其中由多晶矽特别钨、钛、铂或金之矽化物制成的一层藉抛光去除。7.如申请专利范围第1项之方法,其中一层二氧化矽层藉抛光去除。8.如申请专利范围第4项之方法,其中使用含硝酸之蚀刻介质。9.如申请专利范围第8项之方法,其中使用再多包含一种酸之蚀刻介质。10.如申请专利范围第6或7项之方法,其中使用含氢氟酸或氟化铵之蚀刻介质。11.如申请专利范围第3项之方法,其中使用含磷酸较佳正磷酸,及/或聚乙二醇作为黏度增进添加剂之蚀刻介质。12.如申请专利范围第1项之方法,其中使用含湿润剂之蚀刻介质。13.如申请专利范围第12项之方法,其中湿润剂较佳为低链脂族羧酸例如乙酸。14.如申请专利范围第13项之方法,其中使用含醇较佳低碳脂族醇如乙醇之蚀刻介质。15.如申请专利范围第1项之方法,其中于抛光过程蚀刻介质之连续流相对于旋转中基材流动。16.如申请专利范围第15项之方法,其中相对于旋转中的基材,容积流系沿通过旋转中心的路径移动。17.如申请专利范围第15项之方法,其中于抛光过程中容积流系沿通过基材旋转中心点某个距离的路径移动。18.如申请专利范围第15至17项中任一项之方法,其中该容积流之路径为笔直路径。19.如申请专利范围第15至17项中任一项之方法,其中该容积流之路径为弯曲路径。20.如申请专利范围第1项之方法,其中该蚀刻液于流出基材后被收集及选择性于再生后续处理后再度循环至抛光。图式简单说明:第一图a显示具有绝缘层之半导体基材;第一图b显示在绝缘层上具有金属层之第一图a的基材;第一图c显示在蚀刻开始前之第一图b的基材;第一图d显示金属层仅存在于绝缘层之切槽中之半导体基材及绝缘层;第二图a显示类似第一图a之半导体基材;第二图b显示类似第一图b之在绝缘层上具有金属层之半导体基材;以及第二图c显示由本发明之方法获得之金属层仅存在于绝缘层之切槽中之半导体基材。 |
