| 主权项 |
1.一种用以制备氯杂质含量低于50个百万分点重量 比之矽粒之方法,该方法系藉将元素矽沉积在一流 体化床体反应器(该反应器包括一加热区及一反应 区)内之矽粒子上,加热区之矽粒子系藉助于一不 含矽之惰性载体气体加以流体化成为一流体化床 体及藉助于微波能源予以加热,并于反应区使其暴 露于一反应气体(其中包括一矽源气体及载体气体 )内,其中反应区内反应气体(该反应气体正充满经 流体化之矽粒子之间)之平均温度低于900℃。2.如 申请专利范围第1项之方法,其中反应区内流体化 之矽粒子(其中间正充满反应气体)之平均温度高 于900℃。3.如申请专利范围第1项之方法,其中矽源 气体或反应气体系经由一个或更多个管式喷嘴直 接导入该流体化床体反应器之反应区内。4.如申 请专利范围第1项之方法,其中反应气体之温度系 经由流体化床体高度加以控制。5.如申请专利范 围第1项之方法,其中反应气体之温度系经由反应 区之流体化程度(其定义为:反应区上方之平均气 体速度U及导致流体化之最低气体速率Umf之比)加 以控制。6.如申请专利范围第1或2项之方法,其中 该矽源气体最好系选自一个气体族群,该族群包括 :四氯矽烷、三氯矽烷、二氯矽烷及该等气体之混 合物。7.如申请专利范围第1.2或3项之方法,其中该 不含矽之载体气体最好系选自一个气体族群,该族 群包括:氢、氮、氩及该等气体之混合物。图式简 单说明: 第一图:适于实施本发明方法之流体化床体反应器 。 |
