| 摘要 |
<p>(A) 기판의 일부가 오목부의 저면에 노출되도록 기판 상에 형성된 절연 중간층 내에 오목부를 형성하는 단계, (B) 비전해 도금법(electroless plating method)에 의해 오목부의 내부를 포함하는 절연 중간층 상에 제1 전기 전도층을 형성하는 단계, 및 (C) 상기 오목부를 제2 전기 도전층으로 채우기 위해서, 상기 제1 전기 전도층 상에 제2 전기 전도층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 공정을 개시한다.</p> |
