发明名称 金属蚀刻机台
摘要 依据本创作的金属蚀刻机台,由于设置于清洗乾燥室的乾燥装置具有一气动阀,其设置于气体管路上,用以控制气体;以及一滤清器,其设置于上述气动阀与喷嘴之间的上述气体管路,用以滤清流至上述晶圆的气体,故可有效地减少清洗乾燥时所产生的微粒子(particle),而提高晶圆的良率。
申请公布号 TW397254 申请公布日期 2000.07.01
申请号 TW087218685 申请日期 1998.11.10
申请人 茂德科技股份有限公司;台湾茂矽电子股份有限公司 新竹科学工业园区力行路十九号;西门子股份有限公司 德国 发明人 何毓纬;周汛来;杨名显;锺青源
分类号 H01L21/311 主分类号 H01L21/311
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种金属蚀刻机台,适用于金属层上形成有光阻图形的晶圆,且上述金属蚀刻机台包括:一金属蚀刻室,以上述光阻图形为罩幕,对上述晶圆的金属层施行蚀刻;一光阻去除室,邻设于上述金属蚀刻室,用以去除经由上述金属蚀刻室所蚀刻上述金属层上的光阻图形;以及一清洗乾燥室,邻设于上述光阻去除室,且具有清洗装置及乾燥装置,分别用以清洗及乾燥经由上述光阻去除室所去除上述光阻图形的晶圆;其特征在于:上述乾燥装置包括:一气体管路,其一端设有一喷嘴,用以对上述晶圆喷出气体,以乾燥上述晶圆;一气动阀,设置于上述气体管路,用以控制上述气体;以及一滤清器,设置于上述气动阀与上述喷嘴之间的上述气体管路,用以滤清流至上述晶圆的气体。2.如申请专利范围第1项所述的金属蚀刻机台,其中上述气动阀为Nupro阀。3.如申请专利范围第1或2项所述的金属蚀刻机台,其中上述滤清器的孔径为小于上述金属层所形成之金属导线的线径。4.如申请专利范围第3项所述的金属蚀刻机台,其中上述气体为氮气。5.如申请专利范围第4项所述的金属蚀刻机台,其中更包括:一找平边室,用以找出上述晶圆的平边;以及一缓冲室,设置于上述找平边室与上述金属蚀刻室之间,用以当作将位于上述找平边室内的上述晶圆移转至上述金属蚀刻室的介面。6.如申请专利范围第5项所述的金属蚀刻机台,其中更包括:一输入暂存室,邻设于上述找平边室,用以准备将上述晶圆移转至上述找平边室;以及一输出暂存室,邻设于上述清洗乾燥室,用以暂存上述清洗乾燥室所移转过来的上述晶圆。图式简单说明:第一图系显示习知金属蚀刻机台的示意图;第二图系第一图中之清洗乾燥室之乾燥装置的示意图;第三图系显示本创作之金属蚀刻机台的示意图;以及第四图系第三图中之清洗乾燥室之乾燥装置的示意图。
地址 新竹科学工业园区力行路十九号三楼