发明名称 |
METHOD OF PRODUCING SILICON LAYER HAVING SURFACE CONTROLLED TO BE UNEVEN OR EVEN |
摘要 |
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申请公布号 |
KR100221755(B1) |
申请公布日期 |
1999.09.15 |
申请号 |
KR19960006282 |
申请日期 |
1996.03.06 |
申请人 |
NEC CORPORATION |
发明人 |
WATANABE, HIROHITO;HONMA, ICHIRO |
分类号 |
H01L21/285;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/28;H01L21/822;H01L21/8242;H01L21/8244;H01L27/04;H01L27/10;H01L27/108;H01L27/11;(IPC1-7):H01L21/285 |
主分类号 |
H01L21/285 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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