发明名称 FABRICATING METHOD FOR CAPACITOR IN HIGH DENSITY SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR100218308(B1) 申请公布日期 1999.09.01
申请号 KR19960026626 申请日期 1996.07.01
申请人 HYUNDAI MICRO ELECTRONICS CO.,LTD. 发明人 PARK, JYONG-SU;PARK, HONG-BAE
分类号 H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人
主权项
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