| 发明名称 |
T-gate MESFET process using dielectric film lift-off technique |
| 摘要 |
An improved method for forming a T-gate structure in a MESFET includes dielectric lift-off steps.
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| 申请公布号 |
US5940697(A) |
申请公布日期 |
1999.08.17 |
| 申请号 |
US19970941126 |
申请日期 |
1997.09.30 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
YOO, HYUNG MO;NGUYEN, XUAN |
| 分类号 |
H01L21/033;H01L21/285;H01L21/338;(IPC1-7):H01L21/338 |
主分类号 |
H01L21/033 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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