| 主权项 |
1.一种由具平坦面之半导体材料晶圆上制造半导体材料之薄层的方法,其包含一离子布植步骤,该离子布植步骤系由利用一选自稀有气体离子及氢体离子之离子,在一特定温度及特定量,撞击该平坦面所构成,以在一称为参考平面且位置深度趋近于该等离子之平均渗透深度上产生微洞,该方法亦包含一后续之热处理步骤,即在足以将该晶圆横越该参考平面分离成两部份之温度,该位于平面侧之部份系构成该薄层,其中:该离子布植步骤系藉由一介于最小剂量与最大剂量间之离子剂量所进行的,该最小剂量系为,自该剂量起,可产生足够之沿着该参考平面的微洞,以获得该薄晶圆之脆度,而该最大剂量,或临界剂量是指在高于此一剂量,于热处理步骤期间,会造成晶圆之分离,该步骤系在该热处理步骤之后或期间,实施一可将晶圆在横越该参考平面上分成两部份的分离步骤,该分离步骤系包含应用在晶圆之两部份间之机械力。2.依据申请专利范围第1项之方法,系包含一介于该热处理步骤与该分离步骤间之步骤,该步骤系是在晶圆形成薄层前在晶圆部份制造至少一电子元件之所有或部分的步骤。3.依据申请专利范围第2项之方法,其中该电子元件之制造需要热处理相,其系在一低于热处理之温度下完成。4.依据申请专利范围第1项之方法,其中在该分离步骤前,提供一额外的步骤,以将前述晶圆之平坦面的一侧,经施加之机械力使之与一支持物紧密接触及稳固固定。5.依据申请专利范围第4项之方法,其中该支持物系为一挠性支持物。6.依据申请专利范围第5项之方法,其中,该挠性支持物系为一凯普腾(Kapton(R))薄板。7.依据申请专利范围第4项之方法,其中该支持物系为一硬式支持物。8.依据申请专利范围第7项之方法,其中该硬式支持物系为一氧化矽晶圆。9.依据申请专利范围第1项之方法,其中该半导体材料之晶圆系由单晶矽所制成。10.依据申请专利范围第1项之方法,其中该半导体材料之晶圆的平坦侧面系覆盖有一非半导体材料层。11.依据申请专利范围第10项之方法,其中该非半导体材料层系为一电介质层。12.依据申请专利范围之第1至11项任一项之方法,其中在该分离步骤施加之机械力系为张力及/或剪力及/或弯力。图式简单说明:第一图系图解表示一半导体材质之晶圆,其一面系应用本发明之方法将离子植入其中,第二图系图解表示前述的晶圆在依据本发明之热处理步骤结束后所造成该等微洞之结合,第三图系图解表示前述晶圆,系在该所欲之薄层中对应形成有部分的电子元件之后的晶圆,第四图系图解表示依据本发明之分离步骤,将前述晶圆分成两部分。 |
