| 主权项 |
1.一种形成内金属介电层(inter-metal dielectrics)之制程,其系可应用于一具金属层图案(metal patterning)之晶片中,该制程步骤系可包括:a)先行遂行一电浆(plasma)处理程序,以处理(treatment)该具金属层图案晶片之表面;其中,该电浆包含有氧粒子;b)形成一内金属介电底层于该具金属层图案晶片之表面上方;以及c)形成一内金属介电顶层于该内金属介电底层上方,俾得致一由该内金属介电顶层与底层所组成之厚度均匀(uniformity)之内金属介电层。2.如申请专利范围第1项所述之形成内金属介电层之制程,其中于该步骤(a)中之该包含有氧粒子之电浆系可为一包含有N2O之电浆。3.如申请专利范围第1项所述之形成内金属介电层之制程,其中于该步骤(a)中之该包含有氧粒子之电浆系可为一包含有O2之电浆。4.如申请专利范围第1项所述之形成内金属介电层之制程,其中于该步骤(b)中形成该内金属介电底层之方法系可为一电浆化学汽相沈积法(PECVD)。5.如申请专利范围第1项所述之形成内金属介电层之制程,其中于该步骤(b)中形成该内金属介电底层所需之反应气体,系可为一矽甲烷(silane, SiH4)。6.如申请专利范围第1项所述之形成内金属介电层之制程,其中于该步骤(b)中形成该内金属介电底层所需之反应气体,系可为一液态含矽有机化合物(TEOS)。7.如申请专利范围第1项所述之形成内金属介电层之制程,其中于该步骤(b)中形成该内金属介电底层所需之反应气体,系可为一O2与液态含矽有机化合物(TEOS)。8.如申请专利范围第1项所述之形成内金属介电层之制程,其中于于该步骤(b)中该步骤(b)中之该内金属介电底层,系可为一二氧化矽(SiO2)层。9.如申请专利范围第1项所述之形成内金属介电层之制程,其中于该步骤(c)中形成该内金属介电顶层之方法系可为一常压化学汽相沈积法(APCVD)。10.如申请专利范围第1项所述之形成内金属介电层之制程,其中于该步骤(c)中形成该内金属介电顶层之方法系可为一次常压化学汽相沈积法(SAPCVD)。11.如申请专利范围第1项所述之形成内金属介电层之制程,其中于该步骤(c)中形成该内金属介电顶层所需之反应气体,系可为一矽甲烷(silane, SiH4)。12.如申请专利范围第1项所述之形成内金属介电层之制程,其中于该步骤(c)中形成该内金属介电顶层所需之反应气体,系可为一液态含矽有机化合物(TEOS)。13.如申请专利范围第1项所述之形成内金属介电层之制程,其中于该步骤(c)中形成该内金属介电顶层所需之反应气体,系可为一臭气(O3)与液态含矽有机化合物(TEOS)。14.如申请专利范围第1项所述之形成内金属介电层之制程,其中于该步骤(c)中之该内金属介电顶层,系可为一二氧化矽(SiO2)层。图式简单说明:第一图(a)、(b):其系分别为包含有金属层之晶片之上视与侧面剖视示意图;以及第二图(a)、(b)、(c):其系为遂行本案所示之较佳方法后,分别于包含有金属层之晶片之中央区域、中间区域与边缘区域处之沈积厚度侧面剖视示意图。 |
