首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 POLI-CRYSTALLINE SILICON SOURCE/DRAIN MOS TRANSISTORS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要
申请公布号 KR100211947(B1) 申请公布日期 1999.08.02
申请号 KR19960012717 申请日期 1996.04.24
申请人 KOREA ELECTRONICS & TELECOMMUNICATIONS RESEARCH INSTITUTE 发明人 YU, CHONG-SON;KANG, WON-KU;LEE, KYU-HONG
分类号 H01L29/739;(IPC1-7):H01L29/739 主分类号 H01L29/739
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com