监测氧化硅沉积工艺中硅损耗的方法

摘要

本发明提出了一种监测氧化硅沉积工艺中硅损耗的方法，所述方法在硅衬底上进行两次相同工艺条件的氧化硅沉积，并分别量测出氧化硅厚度的变化，通过计算得到由于表面硅损耗转化的氧化硅的厚度，进一步计算出表面硅的损耗。从而达到对相应工艺条件下表面硅损耗的离线监测，有着监测时间周期短和工艺成本低的优点。

主权项

一种监测氧化硅沉积工艺中硅损耗的方法，包括：提供硅衬底，所述硅衬底表面有第一氧化硅层；利用厚度测量机台量测出所述第一氧化硅层的厚度THK₁；选择第一工艺条件，在所述硅衬底上沉积第一厚度的第二氧化硅层；利用厚度测量机台量测出所述所述硅衬底表面的氧化硅层的厚度THK₂；选择第二工艺条件，在所述硅衬底上沉积第二厚度的第三氧化硅层，所述第二工艺条件与所述第一工艺条件相同，所述第二厚度与所述第一厚度相同；利用厚度测量机台量测出所述所述硅衬底表面的氧化硅层的厚度THK₃；进行数据分析，计算出硅衬底表面硅的氧化带来的氧化硅厚度的增量ΔTHK_ox，然后计算出硅衬底表面硅损耗的厚度ΔTHK_Si。