| 发明名称 |
Single and double gate field effect transistors with sidewall source-drain contacts |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG66410(A1) |
申请公布日期 |
1999.07.20 |
| 申请号 |
SG19970004059 |
申请日期 |
1997.11.14 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
SOLOMON PAUL MICHAEL;WONG HON-SUM PHILIP |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L29/417;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/86;H01L27/088 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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