| 主权项 |
1.一种由前面板和背面板构成的场发射显示器,系 包含: a.一片玻璃基板,当作上述前面板的基板;b.一层能 反射 光的导电层,在前述的玻璃基板上;c.一层萤光物质 层, 在前述的能反射光的导电层上;d.第二片玻璃基板, 当作 前述的背面板的基板,并与前述的前面板平行且相 对的安 装在一起;e.第一层透明绝缘层,形成在前述的第二 片玻 璃基板上;f.互相平行且透明的许多阴极电极,在前 述的 第一层透明绝缘层上;g.金属辅助阴极电极,在前述 的平 行且透明的阴极电极上,且其宽度较窄;h.互相平行 且透 明的许多闸极电极;在前述的互相平行且透明的阴 极电极 之上,互相绝缘,且互相垂直;i.金属辅助闸极电极, 在 前述的平行且透明的闸极电极上,且其宽度较窄;j. 第二 层透明绝缘层,在前述的平行且透明的阴极电极和 前述的 平行且透明的闸极电极之间;k.许多的小孔,洞穿前 述的 第二层透明绝缘层和前述的互相平行透明的闸极 电极;和 l.在每一个前述的小孔内,都有一个锥形发射极,此 锥形 发射极连接到前述的互相平行且透明的阴极电极 上,电子 可以选择性的从所述的锥形发射极发射出来,激发 前述的 前面板上的萤光物质层,形成一个影像,并可从前 述的背 面板来观看影像。2.如申请专利范围第1项所述的 场发射显示器,其中所述 的金属辅助阴极电极的宽度,是其中所述的平行且 透明的 阴极电极宽度的5%到10%。3.如申请专利范围第1项 所述的场发射显示器,其中所述 的金属辅助闸极电极的宽度,是其中所述的平行且 透明的 闸极电极宽度的5%到10%。4.如申请专利范围第1项 所述的场发射显示器,其中所述 的平行且透明的阴极电极,和所述的平行且透明的 闸极电 极,均是由透明导电材料构成,这些透明导电材料 包含氧 化锡铟(Indium Tin Oxide)、氧化锌铟(Indium Zinc Oxide)、和氧化锡镉(Cadmium Stannate)。5.如申请专利 范围第1项所述的场发射显示器,还包含:a .其中所述的每一个锥形发射体之下,均有一个金 属垫, 此金属垫是位于其中所述的平行且透明的阴极电 极之上; 和b.其中所述的每一个小孔上,均有一个金属环,此 金属 环连接到其中所述的平行且透明的闸极电极。6. 如申请专利范围第1项所述的场发射显示器,其中 所述 的第一层和第二层透明绝缘层是由氧化矽构成。7 .一种由前面板和背面板构成的场发射显示器,系 包含: a.一片玻璃基板,当作上述前面板的基板;b.一层能 反射 光的导电层,在前述的玻璃基板上;c.一层萤光物质 层, 在前述的能反射光的导电层上;d.第二片玻璃基板, 当作 前述的背面板的基板,并与前述的前面板,平行且 相对的 安装在一起;e.第一层透明绝缘层,形成在前述的第 二片 玻璃基板上;f.互相平行的许多阴极电极,在前述的 第一 层透明绝缘层上;g.互相平行的许多闸极电极,在前 述的 互相平行的阴极电极之上,互相绝缘,且互相垂直;h .前 述的平行阴极电极和前述的平行闸极电极有许多 交叉点, 每一个交叉点形成了前述场发射显示器的一个画 素,在每 一个画素里,前述的平行阴极电极和前述的平行闸 极电极 被制作成特殊图样,只覆盖住前述的画素的部分区 域,而 留下部分区域能透光;i.第二层透明绝缘层,在前述 的平 行阴极电极和前述的平行闸极电极之间;j.许多的 小孔, 洞穿前述的第二层透明绝缘层和前述的平行闸极 电极;和 k.在每一个前述的小孔内,都有一个锥形发射极,此 锥形 发射极连接到前述的平行阴极电极上。8.如申请 专利范围第7项所述的场发射显示器,其中所述 的画素中,被所述的平行阴极电极和所述的平行闸 极电极 覆盖住的区域,约占40%到60%。9.如申请专利范围第7 项所述的场发射显示器,其中所述 的平行阴极电极,和所述的平行闸极电极,均是由 金属材 料构成,这些金属材料包含钼和钨。10.如申请专利 范围第7项所述的场发射显示器,其中所述 的平行阴极电极,和所述的平行闸极电极,均是由 透明导 电材料构成,这些透明导电材料包含氧化锡铟( Indium Tin Oxide)、氧化锌铟(lndium Zinc Oxide)、和氧化锡 镉(Cadmium Stannate)。11.如申请专利范围第10项所述 的场发射显示器,还包含 有金属辅助阴极电极,此金属辅助阴极电极位于专 利范围 10中所述的平行阴极电极之上,且其宽度较窄。12. 如申请专利范围第10项所述的场发射显示器,还包 含 有金属辅助闸极电极,此金属辅助闸极电极位于专 利范围 10中所述的平行闸极电极之上,且其宽度较窄。13. 一种制造场发射显示器的方法,此场发射显示器由 前 面板和背面板构成,其制造方法包含下列步骤:a.使 用一 片玻璃基板,作为制造上述前面板的基板;b.在前述 的玻 璃基板上,镀上一层能反射光的导电层;c.在前述能 反射 光的导电层上,制作一层萤光物质层;d.使用第二片 玻璃 基板,作为制造前述的背面板的基板,并与前述的 前面板 ,平行且相对的安装在一起;e.在前述的第二片玻璃 基板 上,沈积第一层透明绝缘层;f.在前述的第一层透明 绝缘 层上,镀上第一层透明导电层;g.使用微影蚀刻方法 ,将 前述的第一层透明导电层,制作成平行透明阴极电 极;h. 使用沈积和微影蚀刻方法,在前述平行透明的阴极 电极上 ,制作第一层金属导线,此金属导线宽度较窄;i.在 前述 的透明阴极电极和前述的金属导线上,沈积第二层 的透明 绝缘层;j.在前述的第二层透明绝缘层上,镀上第二 层透 明导电层;k.使用微影蚀刻方法,将前述的第二层透 明导 电层,制作成平行、透明的闸极电极,此平行的闸 极电极 与前述的平行阴极电极互相垂直;l.使用沈积和微 影蚀刻 方法,在前述的平行透明的闸极电极上,制作第二 层金属 导线,此金属导线宽度较窄;m.在前述的平行透明闸 极电 极上,形成第一次的开孔;n.在前述的第二层透明绝 缘层 上,形成第二次的开孔,这第二次的开孔在前述的 第一次 开孔之下;和o.在前述的第二开孔里,形成锥形发射 极, 此锥形发射极座落于前述的平行透明的阴极电极 上。14.如申请专利范围第13项所述的制造场发射 显示器的方 法,其中所述的第一层金属导线的宽度,是其中所 述平行 透明阴极电极宽度的5%到10%。15.如申请专利范围 第13项所述的制造场发射显示器的方 法,其中所述的第二层金属导线的宽度,是其中所 述平行 透明闸极电极宽度的5%到10%。16.如申请专利范围 第13项所述的制造场发射显示器的方 法,其中所述的第一层和第二层透明导电层是由透 明导电 材料构成,这些透明导电材料包含氧化锡铟(Indium Tin Oxide)、氧化锌铟(Indium Zinc Oxide)、和氧化锡镉( Cadmium Stannate)。17.如申请专利范围第13项所述的制 造场发射显示器的方 法,还包含下列步骤:a.在制作其中所述第一层金属 导线 时,同时制作一个金属垫,这金属垫位于其中所述 的锥形 发射极的正下方;和b.在其中所述的第一次开孔后, 在小 孔四周制作金属环,这些金属环连接到其中所述的 平行透 明闸极电极上。18.如申请专利范围第13项所述的 制造场发射显示器的方 法,其中所述的第一层和第二层透明绝缘层是由氧 化矽构 成。19.一种制造场发射显示器的方法,此场发射显 示器由前 面板和后面板构成,其制造方法包含下列步骤:a.使 用一 片玻璃基板,作为制造上述前面板的基板;b.在前述 的玻 璃基板上,镀上一层能反射光的导电层;c.在前述能 反射 光的导电层上,制作一层萤光物质层;d.使用第二片 玻璃 基板,作为制造前述的背面板的基板,并与前述的 前面板 ,平行且相对的安装在一起;e.在前述的第二片玻璃 基板 上,沈积第一层透明绝缘层;f.在前述的第一层透明 绝缘 层上,镀上第一层导电层;g.使用微影蚀刻方法,将 前述 的第一层导电层,制作成平行的阴极电极,而在前 述的场 发射显示器的各画素里,此平行阴极电极被制作成 只覆盖 住前述画素的部分区域,留出部分区域能透光;h.在 前述 的平行阴极电极上,沈积第二层透明绝缘层;i.使用 微影 蚀刻方法,将前述的第二层导电层,制作成平行的 闸极电 极,此平行的闸极电极与前述的平行阴极电极互相 垂直, 而在前述的场发射显示器的各画素里,此平行闸极 电极被 制作成只覆盖住前述画素的部分区域,留出部分区 域能透 光;j.在前述的平行闸极电极上,形成第一次的开孔 ;k. 在前述的第二层透光绝缘层上,形成第二次的开孔 ,这第 二次的开孔在前述的第一次开孔之下;和l.在前述 的第二 次开孔里,形成锥形发射极,此锥形发射极座落于 前述的 平行阴极电极上。20.如申请专利范围第19项所述 的制造场发射显示器的方 法,其中所述的画素中,被所述的平行阴极电极和 所述的 闸极电极覆盖住的区域,约占40%到60%。21.如申请专 利范围第19项所述的制造场发射显示器的方 法,还包含金属辅助阴极电极的制造步骤,此金属 辅助阴 极电极制作于其中所述的平行阴极电极之上,且其 宽度较 窄。22.如申请专利范围第19项所述的制造场发射 显示器的方 法,还包含金属辅助闸极电极的制造步骤,此金属 辅助闸 极电极制作于其中所述的平行闸极电极之上,且其 宽度较 窄。图式简单说明:第一图是传统场发射显示器的 剖面图 ,其显示之影像是由前面板观看。第二图是本发明 中第一 种结构之场发射显示器的剖面图,其显示之影像是 由背面 板观看。第三图是本发明中第一种结构之场发射 显示器的 顶视图,图中沿着2-2线切开,即是第二图的剖面图 。第 四图A和第四图B是本发明中第二种结构之场发射 显示器的 顶视图。第五图A和第五图B是本发明中第三种结 构之场发 射显示器的顶视图,第三种结构是结合第一种与第 二种结 构形成的。第六图到第十图是本发明第一种到第 三种结构 的制程剖面图。第十一图到第十四图是本发明中 第四种结 构之场发射显示器的制程剖面图。第十五图是本 发明中第 四种结构之场发射显示器的顶视图,图中沿着14-14 线切 开,即是第十四图的剖面图。 |
