| 摘要 |
<P>L'invention concerne un dispositif de protection d'un composant monolithique comprenant un transistor de puissance (T1) de type MOS vertical diffusé composé d'un grand nombre de cellules identiques (T1i), et un transistor de mesure (T2) composé d'un plus faible nombre de cellules (T2j) identiques à celles du transistor de puissance, les drains (D) et les grilles (G) de toutes les cellules étant communs, une charge inductive (L) étant connectée à la source (S1) du transistor de puissance, et comprenant : un moyen (T6) de mise en court-circuit connecté entre la source (51) du transistor de puissance et la source (52) du transistor de mesure, etun moyen de commande (C) susceptible de mettre en conduction ledit moyen de mise en court-circuit à l'ouverture du transistor de puissance.</P>
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