发明名称 | EEPROM装置及其制造方法 | ||
摘要 | 带有各垂直MOS晶体管的EEPROM装置及其制造方法,这些MOS晶体管各自包括一个电绝缘的第一栅电极,通过一个第二栅电极和一个沟道区之间的电压降可以改变栅电极的电荷。第一栅电极(Ga1)探出沟槽(G)。第二栅电极(Ga2)既界靠在在其上布置着沟道区(Ka)的第一栅电极(Ga1)的一个第一侧壁(F1)上,也界靠在与第一侧壁(F1)相对的一个第二侧壁(F2)上。第二栅电极(Ga2)是平行于沟槽(G)延伸的字线(W)部分。 | ||
申请公布号 | CN1221222A | 申请公布日期 | 1999.06.30 |
申请号 | CN98126006.3 | 申请日期 | 1998.12.22 |
申请人 | 西门子公司 | 发明人 | F·霍夫曼;W·克劳特施内德;J·维勒 |
分类号 | H01L27/115;H01L21/8247 | 主分类号 | H01L27/115 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;王忠忠 |
主权项 | 1.带有各垂直MOS晶体管的EEPROM装置,这些MOS晶体管各自包括一个电绝缘的第一栅电极(Ga1),通过一个第二栅电极(Ga2)和一个沟道区(Ka)之间的电压降可以改变栅电极的电荷,其特征在于,-其中在一个衬底(1)中安排了一个具有一个侧壁的沟槽(G),布置在衬底(1)中的沟道区(Ka)界靠在此侧壁上,-其中第一栅电极(Ga1)是布置在沟槽(G)的侧壁上的并且探出沟槽(G),-其中一个第一绝缘结构(I1)是布置在沿沟槽(G)互相相邻各MOS晶体管的各自两个第一栅电极(Ga1)之间的,-其中第一绝缘结构(I1)是布置沟槽(G)侧壁上的并且探出沟槽(G),使得各第一栅电极(Ga1)的各侧壁(F1)和各第一绝缘结构(I1)的一个第一侧壁交叉过渡,-其中第一栅电极(Ga1)的第一侧壁(F1)是朝向沟道区(Ka)的,-其中衬底(1)之外的第二栅电极(Ga2)界靠到电绝缘第一栅电极(Ga1)的第一侧壁(F1)上和界靠到电绝缘第一栅电极(Ga1)的与第一侧壁(F1)相对的第二侧壁(F2)的至少一个部分上,-其中第二栅电极(Ga2)是一个字线(W)的部分,此栅电极平行于沟槽(G)延伸并且界靠到第一绝缘结构(I1)的第一侧壁上和界靠到第一绝缘结构(I1)的与第一侧壁相对的一个第二侧壁的至少一个部分上。 | ||
地址 | 联邦德国慕尼黑 |