半导体器件的制造方法

摘要

在半导体器件制造方法中,HBr的气体(腐蚀气体)被制成等离子体,同时其气压保持在等于或小于2mTorr,等离子体的离子元素在等于或大于150W的偏置功率下被加速,以腐蚀硅化钛膜11。然后,HBr气体进一步制成等离子体,同时其气压保持在5－10mTorr,并且等离子体的离子元素在10－100W的偏置功率下被加速,以用等离子体中的离子元素腐蚀多晶硅膜10。

主权项

1．一种半导体器件制造方法，该方法各向异性地腐蚀钛多晶硅硅化膜，其中钛多晶硅硅化膜包括通过腐蚀气体的等离子体在偏置功率施加于衬底的状态下按照顺序叠置在衬底上的多晶硅膜和硅化钛膜，该方法包括以下步骤：(a)使用由HBr气体或主要含HBr的气体构成的腐蚀气体和制成腐蚀气体等离子体，同时气压保持在等于或小于2mTorr；和(b)在使偏置功率保持在等于或大于150W的条件下用等离子体腐蚀硅化钛膜和多晶硅膜。