| 发明名称 | 形成微晶硅膜的方法、光电元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 通过等离子体CVD形成微晶硅膜的方法包括:把高频电磁波通过电极引入到膜形成空间以感应等离子体,由此在衬底上形成淀积膜,其中当Q定义为Q=P·f<SUP>2</SUP>/d时,满足400<Q<10000关系式,其中的d(cm)是衬底和电极之间的距离,P(Torr)是淀积膜形成过程中的压力,f(MHz)是高频电磁波的频率。这可以以高速率提供形成适用于pin型太阳能电池的i型层的微晶硅膜的方法,而且只使用了低温工艺,而没有使用高温工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1220484A | 申请公布日期 | 1999.06.23 |
| 申请号 | CN98126184.1 | 申请日期 | 1998.11.27 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 西元智纪 |
| 分类号 | H01L21/205;C23C16/44;H01L31/04 | 主分类号 | H01L21/205 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1、一种利用等离子体CVD形成微晶硅膜的方法，其包括：把高频电磁波通过电极引入到膜形成空间内，以感应等离子体，由此在衬底上形成淀积膜，其中，当Q定义为Q=P·f2/d时满足400＜Q＜10000的关系，其中d(cm)是衬底和电极之间的距离，P(Torr)是在淀积膜形成过程中膜形成空间的压力，f(MHz)是高频电磁波的频率。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||