| 主权项 |
1.一种于半导体基底去除氟化光阻层的方法,用于定义一含矽介电层的制造方法,该去除氟化光阻层的方法包括下列步骤:于一半导体基底之上形成一金属接触层;于该金属接触层之上形成一含矽介电层;于该含矽介电层之上形成一定义的光阻层;于该含矽介电层中形成一介层洞,以下列之步骤形成该介层洞:以该定义的光阻层作为蚀刻罩幕;并以一含氟的电浆蚀刻剂进行一反应式离子电浆蚀刻;并将该含矽介电层形成为一定义的含矽介电层,而且该介层洞乃直至该金属接触层;该反应式离于电浆蚀刻将于该定义的光阻层上形成一部份氟化的光阻层,该部份氟化的光阻层由一部份氟化的光阻层上之定义的氟化表面层与该部份氟化的光阻层下之一定义的未氟化残留层所组成;该反应式离子电浆蚀刻亦于一介层洞侧壁形成一金属聚合物残余;移除至少一部分该部份氟化的光阻层上的定义氟化表面层,其中是利用一盒氩气的电浆做第一次剥除法,该第一次剥除法将绝对不会氧化该金属聚合物残余层;以及进行第二次剥除法将自该介层洞侧壁至少移除该金属聚合物残余层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,在自该定义的含矽介电层上移除该定义的部份氟化光阻层,不损伤该定义的含矽介电层。3.如申请专利范围第1项所述之方法:该定义的光阻层厚度大约在2000A至约14000A左右;该定义的光阻层上的氟化表面层厚度大约在200A至约3000A左右;该定义的光阻层上的未氟化残留层厚度大约在1800A至约11000A左右。4.如申请专利范围第1项所述之方法,该定义的光阻层所使用的光阻材料包含酚醛清漆光阻材质与多甲基异丁烯酸(PMMA)光阻材质。5.如申请专利范围第1项所述之方法:该定义的光阻层频率功率大约在500至约1400瓦特左右,经含氟的电浆蚀刻剂作用,将会被部份氟化;该含氟的电浆蚀刻剂则选自一光阻材料族群,该光阻材料族群由含有碳1-碳3全氟化碳、碳1-碳3氢氟化碳以及三氟化氮所组成。6.如申请专利范围第1项所述之方法,该含氩气之电浆为一氩气电浆。7.如申请专利范围第1项所述之方法,使用该含氩气之电浆的条件如下:于频率大约在13.56MHz左右,其频率功率大约在1000至约1500瓦特左右;其温度为大约低于20℃左右。8.如申请专利范围第1项所述之方法,使用于第二次蚀刻法所用的湿式化学的剥除法是以一氨硷的湿化学剥除材质。9.如申请专利范围第1项所述之方法,该反应式离子电浆蚀刻法与第一次剥除法所处反应室为同一反应室,所以能一致反应下去。10.一种于半导体基底去除氟化光阻层的方法,用于定义一含矽介电层的制造方法,该去除氟化光阻层的方法包括下列步骤:于一半导体基底之上形成一铝金属接触层;于该铝金属接触层之上形成一含矽介电层;于该含矽介电层层之上形成一定义的光阻层;于该含矽介电层中形成该介层洞,依下列步骤形成该介层洞:以该定义的光阻层作为蚀刻罩幕;以该含氟的电浆蚀刻剂行一反应式离子电浆蚀刻;将该含矽介电层形成一定义的含矽介电层,该介层洞之形成直至该金属接触层;该反应式离子电浆蚀刻将于该定义的光阻层之上形成该部份氟化的光阻层,该部份氟化的光阻层由该部份氟化的光阻层上之定义的氟化表面层与该部份氟化的光阻层下之该定义的未氟化残留层所组成;而且该反应式离子电浆蚀刻亦将于一介层洞侧壁形成一铝金属聚合物残余;使用一含氩气的电浆做第一次剥除法,移除一部分该部份氟化的光阻层上的定义氟化表面层,该第一次剥除法将不会完全氧化该铝金属聚合物残余层;再使用该第二次剥除法将自该介层洞侧壁完全移除该铝金属聚合物残余层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,在自该定义的含矽介电层上移除该定义的部份氟化光阻层,不损伤该定义的含矽介电层。12.如申请专利范围第10项所述之方法:该定义的光阻层厚度大约在2000A至约14000A左右;该定义的光阻层上的氟化表面层厚度大约在200A至约3000A左右;该定义的光阻层上的未氟化残留层厚度大约在1800A至约11000A左右。13.如申请专利范围第10项所述之方法,该定义的光阻层所使用的光阻材料包含酚醛清漆光阻材质与多甲基异丁烯酸(PMMA)光阻材质。14.如申请专利范围第10项所述之方法:该定义的光阻层频率功率大约在500至约1400瓦特左右,经含氟的电浆蚀刻剂作用,将会被部份氟化;该含氟的电浆蚀刻剂则选自一光阻材料族群,该光阻材料族群由含有碳1-碳3全氟化碳、碳1-碳3氢氟化碳以及三氟化氮所组成。15.如申请专利范围第10项所述之方法,该含氩气之电浆为一氩气电浆。16.如申请专利范围第10项所述之方法,使用该含氩气之电浆的条件如下:于频率大约在13.56MHz左右,其频率功率大约在1000至约1500瓦特左右;其温度大约低于20℃左右。17.如申请专利范围第10项所述之方法,使用于第二次蚀刻法所用的湿式化学的剥除法是以一氨硷的湿化学剥除材质。18.如申请专利范围第10项所述之方法,该反应式离子电浆蚀刻法与第一次剥除法所处反应室为同一反应室,所以能一致反应下去。图式简单说明:第一图至第九图是依照本发明法之较佳实施例经使用部份氟化的光阻层以形成多层的定义含矽介电层示意图。第十图至第十一图阐述已知技艺在去除氟化的表面层时对金属基底的腐蚀之示意图。 |
