| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft eine siliziumbasierende, IC-kompatible Leuchtdiode (LED) oder Laserdiode (LD) mit einer lichtemittierenden Schicht auf der Basis von halbleitendem Rutheniumsilizid (Ru2Si3) auf Silizium für den Wellenlängenbereich des nahen Infraroten um etwa 1,5 νm. Dabei weist dieses Bauelement eine epitaktische Si/Ru2Si3/Si- oder Si/Ru2Si3-Heterostruktur mit Banddiskontinuitäten größer 0.05 eV für Elektronen bzw. Löcher auf, um ein Ladungsträger-Confinement und somit eine effiziente Lichtausbeute bei Raumtemperatur zu erreichen.</p> |
