减少寄生电阻和电容的场效应晶体管

摘要

介绍了一种场效应晶体管及其形成方法,其中场效应晶体管引入与原有的浅结区自对准的T形栅和源和漏接触。本发明提供一种低阻栅电极和自对准的低阻源/漏接触,适于亚微米FET器件,并可以缩小到更小器件尺寸。

主权项

1．一种形成场效应晶体管的方法，包括以下步骤：在半导体衬底的至少一个表面上形成至少一个牺牲层，构图所述至少一个牺牲层，形成由暴露的衬底区环绕的牺牲栅形结构，在所述牺牲栅形结构的相对侧上的所述暴露的衬底区内形成掺杂的半导体结区，在所述结区上形成源和漏接触金属化层，所述接触金属化层的厚度小于所述栅形结构的厚度，在所述源和漏接触金属化区上选择性地形成介质帽盖层，其中所述介质帽盖层的上表面接近所述牺牲栅形结构的上表面，除去所述牺牲栅形结构露出所述衬底下面的区域和所述源和漏接触金属化层的侧壁，淀积栅介质以覆盖所述露出的衬底区域和所述源和漏接触金属化层的侧壁和上部，在所述栅介质的所有表面上形成导电层，所述导电层也基本上填充了原先由牺牲栅形结构占据的体积，以及构图所述导电层限定栅介质。