| 发明名称 |
MANUFACTURE OF P-CHANNEL INTRINSIC MOS TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH11135655(A) |
申请公布日期 |
1999.05.21 |
| 申请号 |
JP19980242119 |
申请日期 |
1998.08.27 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELETTRONICA SPA |
发明人 |
CAPRARA PAOLO;BRAMBILLA CLAUDIO;CEREDA MANLIO SERGIO;CASSIO VALERIO |
| 分类号 |
H01L21/8247;H01L27/105;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8247 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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