Halbleiterbauelement mit Driftgebieten und Kompensationsgebieten

摘要

Beschrieben wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit Driftgebieten (10) eines ersten Dotierungstyps und Kompensationsgebieten (20) eines zweiten Dotierungstyps und ein Halbleiterbauelement mit Driftgebieten (10 eines ersten Dotierungstyps und Kompensationsgebieten (20) eines zweiten Dotierungstyps. Das Halbleiterbauelement umfasst: mehrere Driftgebiete (10) eines ersten Dotierungstyps und mehrere Kompensationsgebiete (20) eines zweiten Dotierungstyps, wobei die mehreren Driftgebiete (10) und die mehreren Kompensationsgebiete (20) abwechselnd angeordnet sind, wobei jedes der Driftgebiete (10) und jedes der Kompensationsgebiete (20) sich über mehrere Halbleiterschichten (1201–120n) erstreckt, die in einer ersten Richtung übereinander angeordnet sind, und wobei wenigstens einige der Driftgebiete (10) in einer zweiten Richtung wenigstens teilweise von einem benachbarten Kompensationsgebiet (20) durch eine Zwischenschicht (30) getrennt sind, wobei die Zwischenschicht (30) mehrere Zwischenschichtsegmente (31) aufweist, die in den Halbleiterschichten (1201–120n) angeordnet sind.