| 发明名称 | 形成喷墨头电阻层的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成喷墨头电阻层的方法,系于选定的基板上,以热氧化法(Thermal Qxidation)形成一介电层,再于该介电层上溅镀(Sputtering)一电阻层,再对该电阻层施行一掺杂驱入( dopping drive-in)程序,以使该电阻层经掺杂而形成掺杂电阻层,使形成该喷墨头电阻层,如此将可以避免电子迁移现象( Electron Migration)发生,而得到特性较佳的喷墨头结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1214995A | 申请公布日期 | 1999.04.28 |
| 申请号 | CN97121345.3 | 申请日期 | 1997.10.21 |
| 申请人 | 研能科技股份有限公司 | 发明人 | 莫自治;张一熙;周沁怡;曾国佑;张英伦;郑香京;蔡宏骏 |
| 分类号 | B41J2/16 | 主分类号 | B41J2/16 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 张恒康 |
| 主权项 | 1．一种形成喷墨电阻层之方法，其特征在于：包括：a)形成一介电层于一基板上；b)形成一电阻层于该介电层上；以及c)进行一掺杂驱入程序，以使该电阻层经掺杂而形成一掺杂电阻层，使形成该喷墨头电阻层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学园区研发二路28号1F | ||