发明名称 具有阈值补偿功能的动态型半导体存储器件
摘要 一种动态型半导体存储器件,它包括一个第一分级补偿位线、一个第二分级补偿位线、一个第一读出放大器、至少一个第二读出放大器及一个电容器和一个转移栅。该器件采用包括一个晶体管和一个电容器的存储单元,而不象传统的存储单元那样采用两个晶体管和一个电容器,它可以在一个单个的存储单元中保存两位数据,有助于显著地减小芯片面积。
申请公布号 CN1215211A 申请公布日期 1999.04.28
申请号 CN98120108.3 申请日期 1998.09.29
申请人 日本电气株式会社 发明人 大月哲也;成竹功夫
分类号 G11C11/40 主分类号 G11C11/40
代理机构 中科专利代理有限责任公司 代理人 刘晓峰
主权项 1、一种动态型半导体存储器件,它包括(a)一个第一分级补偿位线(SBL、/GBL);(b)一个第二分级补偿位线(/SBL、GBL);(c)一个电连接于所述第一位线(SBL、/GBL)的第一读出放大器(30、52);和(d)至少一个电连接于所述第一位线(SBL、/GBL)和所述第二位线(SBL、/GBL)的第二读出放大器(5、41、42、51),其特征在于,它又含有(e)位于用于每个第二读出放大器(5、41、42、51)的所述第一位线(SBL、/GBL)和所述第二位线(/SBL、GBL)之间的一个电容器(12、13);和(f)在所述第一位线和所述第二位线(SBL、/GBL;/SBL、GBL)之间与所述电容器(12、13)串接的一个转移栅。
地址 日本国东京都