发明名称 Dioden-Halbleiterlaser auf Basis von Nitridverbindungen der Gruppe III
摘要
申请公布号 DE69503193(T2) 申请公布日期 1999.04.15
申请号 DE19956003193T 申请日期 1995.04.20
申请人 TOYODA GOSEI CO., LTD., AICHI, JP;RESEARCH DEVELOPMENT CORP. OF JAPAN, KAWAGUCHI, SAITAMA, JP;AKASAKI, ISAMU, NAGOYA, AICHI, JP;AMANO, HIROSHI, NAGOYA, AICHI, JP 发明人 KATO, HISAKI, TOYOHASHI-SHI, AICHI, JP;KOIDE, NORIKATSU, NAGOYA-SHI, AICHI, JP;KOIKE, MASAYOSHI, ICHINOMIYA-SHI, AICHI, JP;AKASAKI, ISAMU, ICHINOMIYA-SHI, AICHI, JP;AMANO, HIROSHI, ICHINOMIYA-SHI, AICHI, JP
分类号 H01S5/02;H01S5/323;(IPC1-7):H01S3/19;H01L33/00 主分类号 H01S5/02
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利