| 发明名称 |
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE RESISTANCE SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH1197680(A) |
申请公布日期 |
1999.04.09 |
| 申请号 |
JP19970252350 |
申请日期 |
1997.09.17 |
| 申请人 |
TOSHIBA CORP |
发明人 |
FUNAKI HIDEYUKI;NAKAGAWA AKIO |
| 分类号 |
H01L27/088;H01L21/336;H01L21/822;H01L21/8234;H01L27/06;H01L29/73;H01L29/739;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L27/088 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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