发明名称 TRANSISTOR INECUACIONAL O PSEUDONEURONAL.
摘要 TRANSISTOR INECUACIONAL O PSEUDONEURONAL, CONSTITUIDO POR UN CUERPO DE PLANTA Y ESTRUCTURA ALARGADA, SOBRE EL CUAL SE MONTA UN CHIP (1), DE FINOS HILOS (2) CONECTADOS ENTRE SI FORMANDO UN PAQUETE (3), LOS CUALES FORMAN UNA BASE DE CONEXIONES (4) PROLONGADAS HASTA LAS PATILLAS (5). LOS ELEMENTOS INTERNOS SON EL CHIP DE MEMORIA (6) Y EL CHIP DE ENTRADA Y SALIDA DE DATOS (7). LOS ELEMENTOS EXTERNOS SON LA FUENTE DE ALIMENTACION (8), UNA PUERTA LOGICA (9) Y UN DRENADOR REGULADOR (10), ENCARGADOS DE LAS ENTRADAS Y SALIDAS DEL PROCESO. EL PROCESO ES REALIZADO POR LA COMBINACION DE LOS FLUJOS O ENTRADAS DE DATOS (14), (15) Y (16), DE LOS CUALES FLUYEN PORTADORES DE CORRIENTE HACIA EL EMISOR (11), DESDE DONDE SON PROYECTADOS LOS DATOS HASTA EL COLECTOR (13), AUNQUE SIEMPRE ENTRE AMBOS COMO EJE SEMICONDUCTOR LA BASE EMISOR (12) REGULADORA DEL PROCESO. SIMULANDO UNA O MAS PUERTAS LOGICAS CON UN UNICO TRANSISTOR, POR LAS ENTRADAS DE DOS O MAS DATOS EN UN UNICO TRANSISTOR.
申请公布号 ES2117564(B1) 申请公布日期 1999.04.01
申请号 ES19960000923 申请日期 1996.04.24
申请人 MENDEZ-VIGO BARAZONA JAVIER 发明人 MENDEZ-VIGO BARAZONA JAVIER
分类号 G06G7/60;H01L29/73;H03K19/082;(IPC1-7):H01L29/73 主分类号 G06G7/60
代理机构 代理人
主权项
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