发明名称 | 包括存储器件的半导体集成电路器件 | ||
摘要 | 一种半导体存储器件,包括半导体存储单元阵列和外围电路,各阵列包括多个具有开关晶体管和信息存储元的存储单元以及与开关晶体管的源区或漏区电连接的位线,上述外围电路包括与其中的半导体区电连接的布线,该半导体区的导电类型与上述源区和漏区的相反,在位线和与其相连的源区或漏区之间设有由导电类型与源区或漏区相同的掺杂硅构成的位线连接元件,以实现位线与源、漏区之间的电连接,上述布线由形成位线的同一金属钨层构成。 | ||
申请公布号 | CN1212467A | 申请公布日期 | 1999.03.31 |
申请号 | CN98119535.0 | 申请日期 | 1994.11.18 |
申请人 | 株式会社日立制作所;德州仪器有限公司 | 发明人 | 只木芳隆;村田纯;关口敏宏;青木英雄;川北惠三;内山博之;西村美智夫;田中道夫;江崎佑治;齐藤和彦;汤原克夫;赵成洙 |
分类号 | H01L27/108 | 主分类号 | H01L27/108 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
主权项 | 1.一种半导体存储器件,它包括一个半导体存储单元阵列和一个外围电路,所述存储单元阵列包括多个具有开关晶体管和信息存储元的存储单元以及电连接到所述开关晶体管的源区或漏区的位线,所述外围电路包括电连接到外围电路中的半导体区的布线,所述外围电路中的半导体区的导电类型与所述开关晶体管的源区和漏区的相反,其中,在所述位线和与其电连接的所述源区或漏区之间设置有位线连接元件,从而使位线与源区或漏区之间通过所述位线连接元件进行电连接,所述位线连接元件由和所述源区或所述漏区相同的导电类型的掺杂硅构成,而所述布线由形成位线的同一由钨形成的金属层构成。 | ||
地址 | 日本东京都 |