| 发明名称 | 瓶状槽的形成 | ||
| 摘要 | 一种用于在半导体衬底10中形成瓶状槽20的方法,包括:在半导体器件中反应离子刻蚀一具有锥形顶部25的槽和当提高半导体器件温度的时候继续进行反应离子刻蚀赋予该槽以凹腔轮廓22。 | ||
| 申请公布号 | CN1212455A | 申请公布日期 | 1999.03.31 |
| 申请号 | CN98119183.5 | 申请日期 | 1998.09.15 |
| 申请人 | 西门子公司;国际商业机器公司 | 发明人 | 卡尔·P·马勒;拉杰夫·M·拉纳德;斯蒂芬·施米茨 |
| 分类号 | H01L21/302;H01L21/3065 | 主分类号 | H01L21/302 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 黄敏 |
| 主权项 | 1、一种用于在衬底中形成瓶状槽的方法，包括：在第一温度下进行第一刻蚀，以在该衬底中形成具有一锥形顶部的一个槽；以及在第二温度下进行第二刻蚀，形成一下部，该第二温度高于该第一温度。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||