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发明名称 CHARGE PUMP CIRCUIT FOR MOS TRANSISTOR DRIVING
摘要
申请公布号 KR0170511(B1) 申请公布日期 1999.03.30
申请号 KR19950040560 申请日期 1995.11.09
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 KIM, YONG-HO;MIN, BYUNG-WOON
分类号 H02M3/07;H03K17/06;H03K17/16;H03K17/687;(IPC1-7):G11C5/14;G11C11/407 主分类号 H02M3/07
代理机构 代理人
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