| 主权项 |
1.一种1,4-二酮咯并[3,4-c]咯的混合晶体,其包含下式之两种不同化合物其中A及B必需不同且分别为下式之基其中R1及R2分别为氢,卤素,C1-C18烷基或-CN,其特征在于式(I)及(II)化合物之莫耳比率为1:1,及此混合晶体为单一相且与式 之非对称化合物晶体为同晶形。2.根据申请专利范围第1项之混合晶体,其中R1及R2分别为氢,氯,溴,C1-C4烷基或CN。3.根据申请专利范围第2项之混合晶体,其中R1及R2分别为氢,甲基,第三丁基,氯,溴或CN。4.根据申请专利范围第3项之混合晶体,其中R2为氢。5.一种制备根据申请专利范围第1项混合晶体之方法,其包含式I及II化合物以本身习知之方法与下式碳酸氢酯反应D-O-D (III)或与下式三卤素乙酸酯反应(R8)3 C-D (IV)或与下式叠氮化物反应DN3 (V)或与下式碳酸酯反应D-OR9 (VI)或与下式亚烷基-亚氨基氧甲酸酯反应其中D为下式之基R8为氯,氟或溴,R9为C1-C4烷基或苯基未取代或经卤素,C1-C4烷基,C1-C4烷氧基或-CN取代,R10为-CN或-COOR9,及R11为苯基末取代或经卤素,C1-C4烷基,C1-C4烷氧基或-CN取代,R12,R13及R14分别为氢,C1-C6烷基或C2-C5烷烯基,且至少两个R12,R13及R14需为烷基或烷烯基,具莫耳比率1:2且于非质子性有机溶剂中存有硷为触媒下溶解具下式化合物一此等化合物为a)以莫耳比率1:1藉由习知方法以粉末型式均匀混合,或b)以莫耳比率1:1藉由习知方法以粉末型式均匀混合,且此混合物被溶于溶剂中,或c)先溶解然后以混合比率1:1混合入溶液,且接着为一所需之混合晶体经由热,光分解或化学处理由乾燥或溶解之混合物沈淀出。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中于式III-VII中D为下式之基7.一种1,4-二酮咯并[3,4-c]咯的固体溶液,其包含下式之两种不同化合物其中A及B必需不同且分别为下式之基其中R1及R2分别为氢,卤素,C1-C18烷基或-CN,其特征在于此固体溶液具有根据申请专利范围第1项之混合晶体,其为莫耳比率为1:1之单一晶格,其条件为具有较小几何构造之1,4-二酮咯并[3,4-c]咯之存在量为50至66 2/3莫耳%。8.根据申请专利范围第7项之固体溶液,其中R1及R2分别为氢,氯,溴,C1-C4烷基,C1-C6烷氧基,C1-C6烷基氨基或CN。9.根据申请专利范围第8项之固体溶液,其中R1及R2分别为氢,甲基,第三丁基,氯,溴或CN。10.一种聚合物,其包含基于未染色聚合物之0.01至30重量%根据申请专利范围第1项之混合晶体。11.根据申请专利范围第10项之聚合物,其为塑胶材料。12.根据申请专利范围第10项之聚合物,其为清漆。13.一种聚合物,其包含基于未染色聚合物之0.01至30重量%根据申请专利范围第7项之固体溶液。14.根据申请专利范围第13项之聚合物,其为塑胶材料。15.根据申请专利范围第13项之聚合物,其为清漆。 |
