| 发明名称 | 等离子体活化蒸发法沉积二氧化硅 | ||
| 摘要 | 使用等离子体活化反应性沉积法在不同基片上沉积氧化硅抗刮伤的涂层。本方法包括将硅或硅的氧化物蒸发到氩气和一氧化二氮等离子体中,等离子体朝着待涂覆的表面。 | ||
| 申请公布号 | CN1210899A | 申请公布日期 | 1999.03.17 |
| 申请号 | CN98115119.1 | 申请日期 | 1998.06.26 |
| 申请人 | 通用电气公司 | 发明人 | C·D·亚科范格洛 |
| 分类号 | C23C14/10 | 主分类号 | C23C14/10 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 魏金玺;罗才希 |
| 主权项 | 1．在聚碳酸酯基片上沉积抗磨损涂层的方法，该方法是在引入等离子体区的一氧化二氮存在下进行二氧化硅的等离子体增强反应性蒸发。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||