发明名称 在半导体晶圆边缘磨削材料的加工方法
摘要 一种在半导体晶圆边缘磨削材料的加工方法,该半导体晶圆被置放在一台可旋转并可移动的工作台上,一方面绕着一中心轴旋转,一方面被数具旋转的加工工具加工。每一具加工工具部自半导体晶圆边缘磨削掉一定分量的材料。本方法中的加工工具于半导体晶圆作360°的旋转过程中,陆续向前进刀至半导体晶圆的边缘,最后同时加工于半导体晶圆的边缘。刚进刀的加工工具自半导体晶圆边缘磨削掉的材料比早先进刀的加工工具少。每具加工工具,自该加工工具进刀之时算起,最早完成加工半导体晶圆边缘之时,半导体晶圆已旋转了360°。
申请公布号 TW352354 申请公布日期 1999.02.11
申请号 TW086112483 申请日期 1997.09.01
申请人 瓦克半导体材料矽子公司 发明人 赛蒙.艾伦西文德诺
分类号 B24B9/06 主分类号 B24B9/06
代理机构 代理人 甯育丰 台北巿仁爱路四段三三七号三楼C(百利大厦)
主权项 1.一种在半导体晶圆边缘磨削材料的加工方法,该半导体晶圆置放在一台可旋转并可移动的工作台,绕着一中心轴旋转,被数个旋转的加工工具加工,每一具加工工具自该半导体晶圆边缘接上磨削掉一定分量的材料,其特征为,该数个加工工具在半导体晶圆旋转360过程中,一个接一个地向半导体晶圆边缘进刀,最终则同时加工于该半导体晶圆边缘,刚进刀的加工工具自该半导体晶圆边缘磨削掉的材料少于先前进刀的加工工具,加工工具自该加工工具进刀时算起对半导体晶圆边缘的加工,最早在该半导体晶圆完成360的旋转之时完成。2.如申请专利范围第1项的方法,其中加工工具为选自包括磨具、抛光工具和延性研磨工具一类工具。3.如申请专利范围第1或2项的方法,其中紧邻的加工工具,在加工半导体晶圆边缘过程中,旋转方向相反。4.如申请专利范围第1或2项的方法,其中在加工之时,该半导体晶圆边缘上至少有一个点用作添加液体清洁剂,该清洁剂可选择性地以超音波或特超音波适时添加。5.如申请专利范围第1或2项的方法,其中加工系藉加工工具依序自半导体晶圆边缘退刀而终结,退刀的次序相对应于进刀的次序。6.如申请专利范围第1或2项的方法,其中加工系藉所有加工工具同时自半导体晶圆边缘退刀而终结。图式简单说明:第一图:显示一片半导体晶圆与三具不同类型的加工工具的平面图,藉此加工工具对半导体晶圆的边缘加工。
地址 德国