首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit und Verfahren zu seiner Herstellung
摘要
申请公布号 DE69226220(T2) 申请公布日期 1999.02.04
申请号 DE19926026220T 申请日期 1992.05.07
申请人 RAYTHEON CO., LEXINGTON, MASS., US 发明人 HUANG, JOHN C., CAMBRIDGE, MA 02138, US;JACKSON, GORDON S., BELMONT, MA 02178, US
分类号 H01L29/812;H01L21/338;H01L29/08;H01L29/778;(IPC1-7):H01L29/812 主分类号 H01L29/812
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com