| 摘要 |
<p>L'invention concerne la fabrication de composants à semi-conducteurs à partir de diamants, de couches de diamant et de couches en simili-diamant, qui sont dopés par implantation ionique et dans lesquels sont introduites également des régions à conductivité de type n. En complément des éléments du cinquième groupe principal utilisés, comme on le sait, pour le dopage, du silicium est implanté dans la région latérale et la région en profondeur à doper, avec une concentration supérieure à 0,1 % at.. Le silicium peut être implanté avant ou après l'introduction des éléments du cinquième groupe principal dans le substrat en diamant, ou bien être implanté conjointement avec ces derniers au cours d'une étape du processus. Lors d'une implantation de silicium après l'introduction des ions des éléments du cinquième groupe principal, l'auto-régénération peut s'effectuer après chaque implantation ou bien seulement une fois après la deuxième implantation.</p> |
