| 主权项 |
1.一种金属矽化物靶材料,其具有矽对金属M之原子比例Si/M,此原子比例不小于2,及实质上包含金属矽化物化合物与自由矽部份之结构,该靶材料具有超过100%之相对密度,此相对密度由靶材料之真实密度对假设靶材料由化学计量之高熔点矽化物MSi2与纯矽Si组成计算而得之理论密度之比例所定义,靶材料结构中之该自由矽部份具有小于1,100之维克斯硬度。2.如申请专利范围第1项之金属矽化物靶材料,其中靶材料结构中之该矽化物部份之维克斯硬度小于1,200。3.如申请专利范围第2项之金属矽化物靶材料,其中发生破裂之刮伤破裂负载在负载藉用于罗克威硬度规模A之钻石压痕机之使用,以10毫米/分钟之刮伤速率于100N/分钟之负载速率由零N连续增加之情形,不小于50N。4.一种金属矽化物靶材料,其具有矽对金属M之原子比例Si/M,此原子比例不小于2,及实质上包含金属矽化物化合物与自由矽部份之结构,该靶材料具有超过100%之相对密度,此相对密度由靶材料之真实密度对假设靶材料由化学计量之高熔点矽化物MSi2与纯矽Si组成计算而得之理论密度之比例所定义,靶材料结构中之该自由矽部份各具有不小于1m之直径。5.如申请专利范围第4项之金属矽化物靶材料,其中靶材料结构中之该矽化物部份之维克斯硬度小于1,100。6.如申请专利范围第4项之金属矽化物靶材料,其中靶材料结构中之该金属矽化合物部份之维克斯硬度小于1,200。7.如申请专利范围第4项之金属矽化物靶材料,其中发生破裂之刮伤破裂负载在负载藉用于罗克威硬度规模A之钻石压痕机之使用,以10毫米/分钟之刮伤速率于100N/分钟之负载速率由零N连续增加之情形,不小于50N。图式简单说明:第一图为有关本发明靶材料之100,000倍之穿透电子显微镜微结构照片;第二图为有关本发明靶材料之30,000倍之穿透电子显微镜微结构照片;第三图为有关比较用靶材料之100,000倍之穿透电子显微镜微结构照片;第四图为有关比较用靶材料之30,000倍之穿透电子显微镜微结构照片;第五图为微结构之照片,以显示本发明之矽化钨靶材料结构之实例;第六图为显示矽化钨靶材料之压力烧结之压力与自由矽部份间关系之图表;第七图为微结构之照片,显示本发明之矽化钼靶材科结构之实例;第八图为显示矽化钼靶材料中压力烧结之压力与自由矽部份之硬度间关系之图表;及第九图为显示藉音放射测量刮伤破裂之实例之图表。 |
