发明名称 SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT ON A DCB SUBSTRATE
摘要 <p>Mit der vorliegenden Erfindung wird eine Leistungshalbleiter-Anordnung auf einem Halbleitersubstrat geschaffen, bei der die sich über ihre Anschlussleitungen ausbreitenden Störemissionen unmittelbar an der Halbleitervorrichtung eliminiert oder zumindest stark verringert werden. Die erfindungsgemässe Leistungshalbleiter-Anordnung auf einem DCB-Substrat, die einen mit einem positiven Potential verbundenen ersten Zwischenkreisanschluss (2), einen mit einem negativen Potential verbundenen zweiten Zwischenkreisanschluss (2) und mindestens einen Lastanschluss (3), mindestens zwei Leistungsschalter (4) zum wechselnden Verbinden des Lastanschlusses (3) mit dem ersten bzw. dem zweiten Zwischenkreisanschluss (2) umfasst, ist gekennzeichnet durch Überbrückungsverbindungen, die wenigstens einige der nach aussen führenden Anschlüsse (2, 3, 13) der Leistungshalbleiter-Anordnung paarweise verbinden, so dass Störstromkreise innerhalb der Leistungshalbleiter-Anordnung geschlossen werden.</p>
申请公布号 WO9858440(A1) 申请公布日期 1998.12.23
申请号 WO1998DE01252 申请日期 1998.05.05
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT;KLOTZ, FRANK;LORENZ, LEO 发明人 KLOTZ, FRANK;LORENZ, LEO
分类号 H02M1/12;H02M1/14;H02M7/00;(IPC1-7):H02M7/00 主分类号 H02M1/12
代理机构 代理人
主权项
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