TRANSISTOR BIPOLAIRE A GRILLE ISOLEE ET PROCEDE POUR SA FABRICATION

摘要

Un transistor bipolaire à grille isolée de type vertical comporte notamment une première couche d'électrode en métal (8a) connectée à une région de base p (2) qui est formée dans une région de dérive n (1), et une seconde couche d'électrode en métal (8b) connectée à une région d'émetteur n (3) formée dans la région de base. Une source d'alimentation à courant continu (12) est connectée aux première et seconde couches d'électrode en métal. Cette source d'alimentation constitue un moyen pour appliquer une polarisation en sens direct à une jonction pn entre les régions d'émetteur et de base.