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发明名称 Verfahren zur Herstellung von Dünnschichtwiderständen aus SiCr mit verbessertem Temperaturkoeffizienten und Schichtwiderstand
摘要
申请公布号 DE69410100(T2) 申请公布日期 1998.12.03
申请号 DE19946010100T 申请日期 1994.07.19
申请人 NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP., SANTA CLARA, CALIF., US 发明人 MAGHSOUDNIA, PIROUZ, SAN JOSE, CA 95131, US
分类号 H01C7/00;H01L21/02;(IPC1-7):H01C7/00 主分类号 H01C7/00
代理机构 代理人
主权项
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