半导体衬底及其制备方法

摘要

提供一种制备高质量的SOI晶片且具有极好的可控性和生产率、经济的方法、以及用该方法制备的晶片,在利用粘结晶片制备的衬底中,粘结后,在形成于第一Si衬底2的主表面内包括的低孔隙率层和高孔隙率层的高孔隙率层的界面进行分离,由此无孔层转移到第二衬底。在高孔隙率层的分离后,通过如氢气退火的光滑工艺不进行选择性腐蚀,就可将残留的低孔隙率的薄层制成无孔。

主权项

1.制造半导体衬底的方法，包括步骤：制备第一衬底，其中有多孔区和形成在多孔区上的无孔层，多孔区包括至少有孔隙率不同的两层；将第一衬底的无孔层的表面粘接到第二衬底的表面；将第一衬底与第二衬底相互分离，使无孔层转移到第二衬底上，以及除掉第二衬底的分离表面上多孔区的残留部分，或处理无孔层的残留部分，使分离表面光滑；其中制备第一衬底的步骤包括形成厚度为1μm以下的第一多孔层、孔隙率高并与第一多孔层相邻的第二多孔层、以及与第一多孔层相邻的无孔层。