| 发明名称 |
METHOD PROVIDED WITH POLISHING PROCESS FOR FORMING TRENCH ISOLATION AND MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10313051(A) |
申请公布日期 |
1998.11.24 |
| 申请号 |
JP19980175359 |
申请日期 |
1998.06.08 |
| 申请人 |
SONY CORP |
发明人 |
GOCHO TETSUO;HAYAKAWA HIDEAKI |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/304;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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