| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体液晶显示器(TFTLCD)之结构,包含一储存电容,此储存电容系与薄膜电晶体均位于同一块基板上,并设于扫描线闸极上方,其间以一绝缘层隔离;此储存电容之电极在TFT闸极区域上系部分重叠扫描区,而在其他区域上则部分重叠扫描区。2.薄膜电晶体液晶显示器之结构,包含一储存电容,此储存电容系与薄膜电晶体均位于同一块基板上,并设于扫描线闸极上方,其间以一绝缘层隔离;此储存电容之电极在薄膜电晶体(TFT)闸极区域上系部份重叠扫描区,而在其他区域上则完全重覆扫描区。3.如申请专利范围第1或2项的薄膜电晶体液晶显示器之结构,其中该储存电容之电极尚可做为一遮光膜矩阵。4.一种可降低薄膜电晶体液晶显示器之横向电场之方法,系包含下列步骤:(1)沉积第一金属层,并经蚀刻,做为扫描线闸极;(2)沉积一绝缘层;(3)沉积第二金属层,并予以蚀刻,制作储存电容之电极;(4)接着以一般薄膜电晶体制程制作后续步骤;其中该储存电容之电极部份重覆TFT闸极区域上之扫描线区,但其他区域则部分或完全重叠扫描区。5.如申请专利范围第4项的可降低薄膜电晶体液晶显示器之横向电场之方法,在步骤(1)和(3)完成后,可分别再做阳极氧化程序,以降低不同金属层间的短路或减少绝缘层沈积的厚度。6.一种薄膜电晶体之结构,包含有一降低耦合电容(coupling capacitance)的电极,此电极介于闸极(gate)和源极(source)或闸极和汲极(drain)之间,其间以绝缘层隔离。7.如申请专利范围第6项的薄膜电晶体之结构,其中此降低耦合电容的电极为一独立电位,此电极区域和闸极区域以及源极区域或汲极区域部份重叠。8.如申请专利范围第6项的薄膜电晶体之结构,其中此降低耦合电容的电极材料可为金属或透明导电的氧化铟锡(ITO)。图式简单说明:第一图(a)所示为Tashi ba公司发展之TFTLCD的剖面示意图;第二图(b)所示为第一图之TFTLCD结构之上视图,其中第一图(a)为第一图(b)之A-A剖面图;第二图(a)所示为NEC公司发展之TFTLCD的剖面示意图;第二图(b)所示为第一图之TFTLCD结构之上视图,其中第二图(a)为第二图(b)之A'-A'剖面图;第三图(a)所示为第二图(a)之结构中,因横向电场所造成之示意图;第三图(b)所示为第二图(b)之结构中,为免横向电场现象,而加大储存电容之共同电极大小而造成之开口率变小之结构上视图;第四图(a)所示为根据本发明之TFTLCD结构之上视图;第四图(b)所示为根据本发明之TFTLCD结构之水平面b-b的剖面示意图。第四图(c)所示为根据本发明之TFTLCD之垂直面c-c的剖面示意图。第五图所示为薄膜电晶体液晶显示器的等效电路。 |
