| 发明名称 | 利用平面化技术制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体器件的方法,包括:在晶体管元件上形成氮化膜、BPSG膜和含硼或磷的SOG氧化硅膜;在加压蒸汽气氛中热处理所得晶片;并在惰性气体气氛中热处理该晶片。第一热处理引起SOG膜的水解作用,形成凝胶态SOG膜,而第二热处理通过去掉SOG膜中所含水分固化SOG膜。SOG膜中的磷或硼减弱了SOG膜中－Si－O－Si－链中的结合键,帮助－Si－O－Si－链的分离,及SOG膜的平面化。 | ||
| 申请公布号 | CN1195884A | 申请公布日期 | 1998.10.14 |
| 申请号 | CN98101226.4 | 申请日期 | 1998.03.30 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 石川拓 |
| 分类号 | H01L21/316;H01L21/318;H01L21/324;H01L21/768 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏 |
| 主权项 | 1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成半导体元件、第一绝缘膜、含磷和硼的第二绝缘膜、及至少含磷和硼之一的旋涂玻璃(SOG)第三绝缘膜，从而获得第一晶片；在加压的蒸汽气氛中热处理该第一晶片；在惰性气体气氛中热处理该第一晶片；在第三绝缘膜上形成互连层。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||