| 发明名称 |
ION IMPLANTATION METHOD AND METHOD FOR FORMING MOS TYPE TRANSISTOR USING IT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH10270375(A) |
申请公布日期 |
1998.10.09 |
| 申请号 |
JP19970071174 |
申请日期 |
1997.03.25 |
| 申请人 |
TOSHIBA CORP |
发明人 |
NIIMURA TADASHI;SHIMIZU TOSHIO;SAITO SHUICHI |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/265;H01L21/266;H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L21/265 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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