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发明名称 MOCVD 장비
摘要 <p>본 고안의 MOCVD 장비는 화합물 반도체 박막 성장에 사용되는 종래 MOCVD 장비의 반응관 내에 노즐형 디퓨저를 위치시켜 원료 가스 및 도펀트들의 혼합도를 향상시킴으로써, 성장되는 화합물 반도체 박막의 두께, 조성 및 도핑 농도의 균일도를 향상시킬 수 있다.</p>
申请公布号 KR19980050048(U) 申请公布日期 1998.10.07
申请号 KR19960063219U 申请日期 1996.12.30
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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