薄膜晶体管的制造方法、使用该方法的液晶显示装置和电子设备

摘要

本发明为了提供一种可提高可靠性的非单晶硅薄膜晶体管的制造方法,故在已在玻璃基板14上形成了基底SiO₂膜15之后,在其上形成多晶硅层17。其次,在完成多晶硅层17的刻制成图形以后,用ECR－PECVD法或TEOS－PECVD法形成栅SiO₂膜18。然后,形成栅电极19,以及借助于离子搀杂法形成源、漏区域20、20。而且,形成SiO₂层间绝缘膜21,使接触孔22开口后,形成由Al－Si－Cu膜构成的电极23。而最后,进行温度350℃,退火时间3小时的湿退火。

主权项

1、一种场效应型晶体管的通过栅绝缘膜而与栅电极相对的沟道区域由非单晶硅薄膜构成的薄膜晶体管的制造方法，其特征是：上述栅绝缘膜由硅氧化膜构成，至少在形成上述栅绝缘膜以后，在含有水分的气氛下进行退火。