具有防潮隔膜的半导体器件

摘要

设符号A为接触口深度,B为接触口直径,C为在隔膜和半导体衬底之间形成的底层氧化物厚度,D为进行氧化物湿法刻蚀以去掉硅上自然生长的氧化物和减少接触电阻而在接触口内部形成的隔膜檐的突出长度,确立有如下关系式,tan^-1(B/A)-1((B－D)/(A－C))。用于阻止外界潮气侵入的隔膜可由一层氮化物薄膜组成,或者由向底层氧化物表面注入氮离子所形成的薄膜组成。

主权项

1.一种由硅半导体衬底、底层氧化物和用以防止外界潮气侵入的隔膜组成的半导体器件，其特征在于，假设用符号A表示接触口深度，用B表示所述的接触口直径，用C表示在所述的隔膜和所述的硅半导体衬底之间形成的底层氧化物的厚度，用D表示所述的隔膜檐的突出长度，膜檐是为去掉硅半导体衬底上自然生长的氧化物和降低接触电阻而进行氧化物的湿法刻蚀形成在接触口内部的，按以上假设确立下列关系，tan-1(B/A)＜tan-1((B-D)/(A-C)).