半导体器件

摘要

本发明的目的是在具有强电介质电容器的半导体器件中,减小强电介质电容器的特性离散,且把该强电介质电容器的特性变动,即把时间的流驶所伴生的特性退化抑制为很小。本方案是:用具有以沿第1方向D1延伸并与该第1方向垂直的第2方向D2为宽度方向的平面形状的下部电极111a,在该下部电极111a上边被配置为相向的多个上部电极112a,和配置在该两电极间的强电介质层,构成强电介质电容器110a,且把该上部电极112a的平面形状做成为上述第1方向D1上的尺寸比上述第2方向上的尺寸小的形状。

主权项

1、一种半导体器件，其特征是：具备：具有沿第1方向延伸且以与该第1方向垂直的第2方向为宽度方向的平面形状的第1电极；被配置为与该第1电极相向、且具有上述第1方向上的尺寸和上述第2方向上的尺寸相等的平面形状、或者具有上述第1方向上的尺寸比上述第2方向上的尺寸短的平面形状的第2电极；以及配置在上述第1电极与上述第2电极之间的强电介质层，用上述第1、第2电极及该两电极间的强电介质层构成强电介质电容器。