| 发明名称 | 在使用单台设备的密闭环境中用作集成电路的探测、测试、老化、修复和编程的方法及设备 | ||
| 摘要 | 进行包括减小接触焊接点(66)上氧化层厚度和集成电路的探测、测试、老化、修复、编程以及分类的多功能的单一的气体密闭系统(5)。在氧化物还原过程期间或晶片的老化期间温度控制器(48)加热晶片(40)。在氧化物还原过程期间使氢气输入工作室(10),并加热晶片(40),以使接触点上的氧化物与氢气化合生成水汽,因而减小氧化层的厚度。计算机(30)分析测试和/或老化数据并提供修复或编程集成电路(64a－64l)的控制信号。 | ||
| 申请公布号 | CN1191019A | 申请公布日期 | 1998.08.19 |
| 申请号 | CN96195460.4 | 申请日期 | 1996.05.31 |
| 申请人 | 格伦·利迪 | 发明人 | 格伦·利迪 |
| 分类号 | G01R31/02 | 主分类号 | G01R31/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1.用于探测至少一个电路(64)的系统，包括，用于使至少第一气体输送到上述的系统的气体源(51)；用于调整在至少具有导电接触部分(66)和氧化物的上述的电路的区域上温度的第一温度控制器(48)，上述的氧化物是沉积在上述的导电接触部分上，其中当上述的系统内有上述第一气体时和当加热上述区域时，使上述的氧化物的厚度减小；和用于探测上述的电路(64)中的上述的导电接触部分(66)的第一探测装置(42)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||